삼성전자가 최근 반도체 초격차 기술에서 밀리는 것 아니냐는 외부의 시선에 걱정하지 말라는 듯한 내용의 기고문을 공개하여 화제가 되고 있다.
해당 기고문은 삼성전자 송재혁 부사장이 작성한 내용이며 크게 현재의 삼성전자 낸드 기술력과 미래의 삼성전자 낸드 개발 방향에 대한 내용으로 정리가 되어있다.
삼성의 낸드 기술은 이미 상대를 압도한다.
삼성전자는 2차원 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원으로 셀을 쌓아 올렸다. 당시에는 단수가 낮았기 때문에 높이에 대한 고민이 필요 없었다. 하지만 고집적, 고용량에 대한 요구로 단수가 높아지면서, 제약이 없을 것 같았던 높이도 물리적 한계를 고려해야 하는 상황이 도래했다.
우리는 한발 앞서 이러한 고민을 시작하고, 해결책을 모색해 왔다. 삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다. 이것이 가능한 이유는 삼성전자가 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문이다.
3차원 스케일링(3D Scaling) 기술을 통해 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켜, 체적을 최대 35%까지 줄였다. 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀간 간섭현상도 제어했다.
즉 같은 단수를 보다 낮게 구현할 수 있어, 향후 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다.
또 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 십억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글스택 에칭 기술력을 갖췄다. 즉 작은 셀 크기와 압도적인 싱글스택 에칭 기술력을 기반으로, 향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다.
200단 낸드 이미 개발 완료 하였다.
업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 제품이 올해 하반기에 첫 출시가 될 계획이다. 최대 2.0Gbps 입출력(I/O) 성능의 7세대 V낸드는 4세대 PCIe 인터페이스(PCIe Gen 4) 뿐만 아니라, 향후 5세대(PCIe Gen 5)까지 성능 요구를 만족시킬 것으로 기대된다.
또 6세대 대비 한층 강화된 성능으로 3D 모델링, 영상편집 등 대용량 워크로드의 작업을 동시에 처리하는, 멀티태스킹 환경에 최적의 솔루션을 제공할 계획이다.
뿐만 아니라 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다. 또 저전력 솔루션을 기반으로 이전 세대 대비 전력효율을 16% 끌어올려, 데이터센터를 운영하는 기업들이 전력을 줄이는 동시에 지구환경에 기여할 수 있도록 한다는 방침이다.
또 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로, 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다.
미세한 기술력의 우위가 결국 고객에게 차별화된 가치를 제공하고 시장은 이를 통해 역시 삼성전자임을 인정할 것으로 믿고 있다.
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