반도체 소자의 성능과 안정성을 향상시키는 방법은 초박막 전극 신소재를 이용하는 것입니다.
예를 들어, 셀렌늄화주석 (Cl-SnSe2)은 2차원 반도체와 결합할 때 반도체 계면과의 결함을 최소화하고 전기적 특성을 자유자재로 제어할 수 있습니다. 이를 통해 N형과 P형 소자 특성을 조절하고 다양한 논리 연산이 가능한 고성능·저전력 상보성 논리회로를 구현할 수 있습니다.
셀레늄화주석
셀레늄화주석은 화학 증기 운반법 (CVT)이라는 방법으로 만들 수 있습니다. 이 방법은 고온에서 셀레늄화주석 분말을 증기로 변환시킨 후 저온으로 냉각하여 다시 고체로 응결시키는 과정입니다. 이렇게 하면 초박막 형태의 셀레늄화주석을 얻을 수 있습니다.
초박막 형태의 셀레늄화주석은 2차원 반도체로서 저전력·고성능의 전자소자 및 논리소자를 구현할 수 있는 장점이 있습니다. 또한 높은 광 투과성과 유연성을 가지므로 유연·투명 반도체 소자에도 활용될 수 있습니다. 셀레늄화주석은 0.91 - 1.79 eV의 좁은 밴드갭을 가지므로 광전자기기와 태양전지에도 적합한 소재입니다.
728x90
반응형
댓글