SiNx 막의 투명도를 증가시키는 방법

SiNx 막의 투명도를 증가시키는 방법

SiNx 막의 투명도를 증가시키는 방법은 여러 가지가 있습니다.

하나의 방법은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)라는 공정을 이용하는 것입니다. PECVD는 반도체 소자의 표면 패시베이션과 반사 방지 코팅을 위해 SiNx 막을 증착하는 데 널리 사용되는 방법입니다.

PECVD는 저주파와 고주파로 나눌 수 있습니다. 저주파 PECVD에서는 SiH4, NH3, N2 가스와 RF 파워를 조절하여 SiNx 막의 굴절률과 균일성을 최적화할 수 있습니다.

일반적으로 SiH4 가스량을 증가시키고 NH3 가스량을 감소시키면 굴절률이 증가하고, RF 파워를 감소시키면 굴절률이 증가합니다. 굴절률이 높은 SiNx 막은 투명도가 높고 빛의 흡수율이 낮습니다. 따라서 저주파 PECVD를 이용하여 굴절률이 높은 SiNx 막을 만들 수 있습니다.

다른 방법은 CVD (Chemical Vapor Deposition)라는 공정을 이용하는 것입니다. CVD는 화학적 반응을 통해 기판 위에 원하는 막을 성장시키는 방법입니다. CVD에는 여러 가지 유형이 있지만, SiNx 막을 만들기 위해서는 LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)나 APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)를 사용할 수 있습니다. LPCVD는 낮은 압력에서 반응기 내부에 가스를 흘려보내고, APCVD는 대기압에서 가스를 분사하는 방식으로 막을 성장시킵니다.

CVD로 만든 SiNx 막은 PECVD보다 품질이 좋고, 투명도가 높으며, 빛의 흡수율이 낮습니다. 따라서 CVD를 이용하여 투명한 SiNx 막을 만들 수 있습니다.